CVD金刚石单晶片
我公司生产的CVD金刚石单晶片规格多样，从5 x 5 x 0.3mm至20 x 20 x 3mm不等，满足不同工业应用的需求。金刚石晶片因其超硬特性，在制造业、军工、航天等领域有着广泛的应用。
CVD金刚石单晶片是公司核心产品之一，采用先进的化学气相沉积（CVD）技术制备而成。这种技术能够在较低温度下，通过精确控制气体成分和工艺参数，使碳原子在基底上沉积形成纯净、高质量的金刚石单晶体。
我公司生产的CVD金刚石单晶片具有以下显著优势：
- 高纯度：晶片纯度高，杂质含量低，能够满足高端电子器件、光学元件等对材料纯净度的苛刻要求。
- 优异的光学性能：具有宽光谱透过率范围和低散射特性，适用于激光器窗口、光学传感器等光学领域。
- 高热导率：热导率远高于传统散热材料，能够有效提升电子器件的散热性能，延长其使用寿命。
目前我公司主要提供BR-IIa（低氮）和BR-Ib（高氮）单晶片产品，产品尺寸从5 x 5 x 0.3mm至20 x 20 x 3mm不等，可根据客户需求进行尺寸和外观样式的定制加工。
产品参数特性如下：
| 产品名称 | 热导率 ( 27°C, W·m⁻¹·K⁻¹) | 热膨胀系数 ( 27°C, ppm·K⁻¹) | 热扩散率 ( 27°C, cm²·s⁻¹) | 比热容 ( 27°C, J·kg⁻¹·K⁻¹) | 硬度 (GPa) | 断裂韧性 (MPa·m^0.5) | 杨氏模量 (GPa) | 泊松比 | 密度 (10³ kg·m⁻³) |
| BR-Ib | >1700 | 1.10 ± 0.1 | >9.2 | 502 | 80 ± 11 | 5.1 - 7.2 | 1045 | 0.1 | 3.51 |
| BR-IIa | >2100 | 1.10 ± 0.1 | >11.9 | 502 | 80 ± 11 | 5.1 - 7.2 | 1045 | 0.1 | 3.51 |
目前公司进行30 x 30 x 5mm大尺寸单晶晶片的生产研发，这一创新将进一步提升公司在培育钻石行业的竞争力。
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