CVD金刚石单晶散热材料
金刚石是一种经过验证的热管理材料，非常适合高功率射频、光电子和高压功率半导体器件。它减少了器件附近的热梯度，使热沉更加高效，并允许在不增加系统尺寸或降低操作环境温度的情况下使用高功率器件。
CVD金刚石单晶散热材料是采用化学气相沉积（CVD）技术制备而成的高性能散热材料，具有以下显著特点：
- 高热导率：热导率高达2000W/m·K以上，是铜的五倍，能够快速将热量从热源传导至散热片，有效降低电子器件的温度，提升其稳定性和可靠性。例如，在射频HEMT器件中，使用CVD金刚石基氮化镓晶片，与同等碳化硅基氮化镓元器件相比，其功率密度提高3倍。
- 优异的热稳定性：由于不含任何金属催化剂，其热稳定性接近天然金刚石，在高温环境下仍能保持稳定的热导率和结构性能，适用于各种高温应用场景，如大功率半导体器件、微波器件等。
- 良好的机械性能：具有很高的维氏硬度，达到8000~10000 kg/mm²，以及较高的杨氏模量1000~1100GPa，不易变形或损坏，能够满足复杂环境下的使用需求。
- 定制化服务：可根据客户的具体需求，提供不同尺寸、形状和厚度的散热材料，满足不同产品的散热解决方案，如单面或双面抛光加工。
金刚石优于其他散热材料，在室温下具有任何固体材料已知的高热导率，如下图所示，金刚石材料可应用于第三代半导体高功率器件、大功率激光器及微电子热沉元器件等。
热导率
我公司主要提供BR-IIa（低氮）和BR-Ib（高氮）产品，其参数特性如下：
| 产品名称 | 热导率 ( 27°C, W·m⁻¹·K⁻¹) | 热膨胀系数 ( 27°C, ppm·K⁻¹) | 热扩散率 ( 27°C, cm²·s⁻¹) | 比热容 ( 27°C, J·kg⁻¹·K⁻¹) | 硬度 (GPa) | 断裂韧性 (MPa·m^0.5) | 杨氏模量 (GPa) | 泊松比 | 密度 (10³ kg·m⁻³) |
| BR-Ib | >1700 | 1.10 ± 0.1 | >9.2 | 502 | 80 ± 11 | 5.1 - 7.2 | 1045 | 0.1 | 3.51 |
| BR-IIa | >2100 | 1.10 ± 0.1 | >11.9 | 502 | 80 ± 11 | 5.1 - 7.2 | 1045 | 0.1 | 3.51 |
北睿CVD单晶金刚石卓越热导率在保持相同功率水平的同时显著降低了温度。这为工程师提供了创建更经济、更可靠系统的机会。
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